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FDD5N50N MOSFET
MOSFET N-CH 500V DPAK
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FDD5N50N MOSFET

MOSFET N-CH 500V DPAK
 
Tipo FET MOSFET canale N, metallo-ossido
Funzione FET Standard
Tensione drain-source (Vdss) 500V
Corrente - Drain continuo (Id) 3,7A
Rds On (max) - Id, Vgs 1,75 Ohm a 1,85A, 10V
Vgs(th) (max) a Id 5 V a 250µA
Carica di gate (Qg) - Vgs 12nC a 10V
Capacità ingresso (Ciss) a Vds 485pF a 25V
Potenza max 62,5W
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 cavi+linguetta), SC-63