2N3819 FET-N Questo dispositivo è stato progettato per applicazioni RF e amplificatore mixer di esercizio fino a 450 MHz, e per la commutazione analogico che richiedono bassa capacità.
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:40VTyp Gain Bandwidth ft:250MHZPower Dissipation Pd:625mWDC Collector Current:0.2ADC Current Gain hFE:100Operating Temperature Range:Da -55°C a +150°C
