2N3819 FET-N Questo dispositivo è stato progettato per applicazioni RF e amplificatore mixer di esercizio fino a 450 MHz, e per la commutazione analogico che richiedono bassa capacità.
Polarità transistor:PNPCollector-to-Emitter Breakdown Voltage:40VTyp Gain Bandwidth ft:200MHZPower Dissipation Pd:3mWDC Collector Current:600mADC Current Gain hFE:100
