FDA59N25 Mosfet 250V N-Ch

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SKU: FDA59N25-XAR

FDA59N25 Mosfet
250V N-Ch

Specifica:

Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-3PN-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	250 V
Id - corrente di drain continua:	59 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	49 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	82 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	392 W
Modalità canale:	Enhancement
Serie:	FDA59N25
Confezione:	Tube
Marchio:	onsemi / Fairchild
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	170 ns
Transconduttanza diretta - Min:	45 S
Altezza:	20.1 mm
Lunghezza:	16.2 mm
Tipo di prodotto:	MOSFET
Tempo di salita:	480 ns