STGW40V60DF IGBT Transitor

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SKU: STGW40V60DF-MOU

STGW40V60DF IGBT
Transistori IGBT 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT

Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	Transistori IGBT
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	TO-247
Stile di montaggio:	Through Hole
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	600 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	2.35 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, + 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	80 A
Pd - Dissipazione di potenza:	283 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	STGW40V60DF
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Corrente di perdita gate-emettitore:	250 nA