2SJ306 Mosfet P-Channel

Immagina di progettare un amplificatore audio ad alta fedeltà o un sistema di alimentazione switching di precisione e di trovarti di fronte al dilemma della scelta dei componenti ideali: qui entra in gioco il MOSFET 2SJ306, un transistor a effetto di campo a canale P che ha conquistato la fiducia di molti ingegneri elettronici grazie alla sua affidabilità. Questo componente si distingue per la sua capacità di gestire correnti elevate con una minima resistenza di conduzione ($R_{DS(on)}$), riducendo drasticamente le perdite di energia sotto forma di calore. Ad esempio, nei circuiti di controllo dei motori o negli stadi di uscita complementari, l'utilizzo del 2SJ306 permette di ottenere una commutazione rapida e pulita, minimizzando le interferenze elettromagnetiche (EMI) che spesso affliggono i progetti più complessi. Integrarlo nei tuoi prototipi significa non solo migliorare l'efficienza energetica complessiva del dispositivo, ma anche garantire una longevità superiore al circuito, rendendolo una scelta eccellente sia per gli appassionati di autocostruzione che per i professionisti del settore.

 

Type Designator: 2SJ306

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: P-Channel

Pd ⓘ - Maximum Power Dissipation: 25 W

|Vds|ⓘ - Maximum Drain-Source Voltage: 250 V

|Vgs|ⓘ - Maximum Gate-Source Voltage: 30 V

|Id| ⓘ - Maximum Drain Current: 3 A

Tj ⓘ - Maximum Junction Temperature: 150 °C

|VGSoff|ⓘ - Minimum Gate-to-Source Cutoff Voltage: 1.5 V

tr ⓘ - Rise Time: 18 nS

Cossⓘ - Output Capacitance: 110 pF

RDSonⓘ - Maximum Drain-Source On-State Resistance: 1.5 Ohm

Package: TO-220ML