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SKU: 2SK1117-MFAT
2SK1117 Mosfet
MOS-N-FET-e, V-MOS, 600V, 6A, 100W
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2SK1117 Mosfet N-Channel

Nel vasto panorama dei componenti elettronici dedicati alla gestione della potenza, il 2SK1117 Mosfet N-Channel rappresenta una scelta fondamentale per ingegneri e progettisti alla ricerca di prestazioni stabili e affidabili. Immagina di dover gestire la commutazione di carichi elevati all'interno di un alimentatore switching o di un sistema di controllo per motori: è qui che questo transistor a effetto di campo mostra il suo vero valore. Grazie alla sua architettura a canale N, il 2SK1117 è in grado di offrire una bassa resistenza allo stato acceso (Rds(on)) e una notevole velocità di commutazione, riducendo al minimo le perdite energetiche e la dissipazione di calore. Ad esempio, nell'implementazione di circuiti di conversione DC-DC, l'utilizzo di questo componente consente di mantenere elevati livelli di efficienza anche a frequenze di lavoro sostenute. La sua robustezza termica e la capacità di gestire tensioni e correnti significative lo rendono un alleato prezioso non solo nelle riparazioni di apparecchiature audio e industriali, ma anche nello sviluppo di nuove soluzioni prototipali dove la precisione e la durata nel tempo sono requisiti imprescindibili.

Type Designator: 2SK1117
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N-Channel

Absolute Maximum Ratings

Pd ⓘ - Maximum Power Dissipation: 100 W
|Vds|ⓘ - Maximum Drain-Source Voltage: 600 V
|Vgs|ⓘ - Maximum Gate-Source Voltage: 20 V
|Id| ⓘ - Maximum Drain Current: 6 A
Tj ⓘ - Maximum Junction Temperature: 150 °C

Electrical Characteristics

|VGSth|ⓘ - Maximum Gate-Threshold Voltage: 3.5 V
tr ⓘ - Rise Time: 25 nS
Cossⓘ - Output Capacitance: 250 pF
RDSonⓘ - Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.95 Ohm
Package: TO220AB