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2SK1213 Mosfet
MOS-N-FET-e, V-MOS, 600V 6A 125W 40/85n
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2SK1213 Mosfet

Nel vasto panorama dei componenti a semiconduttore, il 2SK1213 Mosfet si distingue come un vero e proprio punto di riferimento per ingegneri e progettisti che ricercano affidabilità ed efficienza termica. Immagina di dover gestire la commutazione di potenza in un amplificatore audio ad alta fedeltà o in un sistema di alimentazione industriale complesso: è proprio in questi scenari critici che questo transistor a effetto di campo a canale N mostra il suo valore superiore. Grazie a una bassa resistenza allo stato di conduzione (Rds(on)) e a capacità parassite ridotte, il 2SK1213 permette di minimizzare le perdite di energia anche a frequenze operative elevate, riducendo drasticamente la generazione di calore. Ad esempio, nell'aggiornamento di circuiti di controllo per motori DC, l'adozione di questo Mosfet garantisce una risposta dinamica rapida e un controllo della velocità estremamente preciso, preservando l'integrità dell'intero sistema. La sua robusta struttura interna non solo assicura una lunga durata operativa, ma offre anche una notevole tolleranza ai picchi di tensione transitori, rendendolo la scelta ideale per applicazioni dove la stabilità a lungo termine non è negoziabile.

Absolute Maximum Ratings

Pd ⓘ - Maximum Power Dissipation: 125 W
|Vds|ⓘ - Maximum Drain-Source Voltage: 600 V
|Vgs|ⓘ - Maximum Gate-Source Voltage: 20 V
|Id| ⓘ - Maximum Drain Current: 6 A
Tj ⓘ - Maximum Junction Temperature: 150 °C

Electrical Characteristics

|VGSth|ⓘ - Maximum Gate-Threshold Voltage: 3.5 V
tr ⓘ - Rise Time: 25 nS
RDSonⓘ - Maximum Drain-Source On-State Resistance: 1.25 Ohm
Package: TO3PN