Fairchild Semiconductor

1N5819 DIODE

• Diode type: Schottky; Voltage, Vrrm: 40V
• Av Current If: 1 A
• Max Voltage Vf: 0.6V
• Max Current Ifs: 25A
• Operating Temperature Range: -40 ° C to +150 ° C

1N5822 Schottky Diode
Substitute: 1N5820 , 1N5821 , BYS26/45 , SB340 , SB350

2N3819 FET-N
Questo dispositivo è stato progettato per applicazioni RF e amplificatore mixer di esercizio fino a 450 MHz, e per la commutazione analogico che richiedono bassa capacità.

2N5172 TRANSISTOR

• Transistor Polarity:N Channel
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo:25V
• Power Dissipation Pd:625mW
• DC Collector Current:500mA
• DC Current Gain hFE:500
• Operating Temperature Range:-55°C to +1

2N6488G Transistor
SI-N NF/S-L 90V 15A 75W >5MHz