Fairchild Semiconductor

2N3819 FET-N
Questo dispositivo è stato progettato per applicazioni RF e amplificatore mixer di esercizio fino a 450 MHz, e per la commutazione analogico che richiedono bassa capacità.

2N2907 Transistor
Progettato per l'alta velocità di commutazione e l'applicazione di uso generale.

1N5822 Schottky Diode
Substitute: 1N5820 , 1N5821 , BYS26/45 , SB340 , SB350

1N5819 DIODE

Diode type: Schottky; Voltage, Vrrm: 40V

Av Current If: 1 A

Max Voltage Vf: 0.6V

Max Current Ifs: 25A

Operating Temperature Range: -40 ° C to +150 ° C